FLOSFIA公司開發出新型氧化鎵產品

FLOSFIA最初于2011年在京都大學成立，專門研究霧狀化學氣相沉積( CVD )成膜和氧化鎵（Ga2O3）在低損耗功率器件中的應用。京都大學的Shizuo Fujita教授首創了剛玉結構氧化鎵（α-Ga2O3）在半導體中的應用。α-Ga2O3半導體的性能表現優于市場上其它半導體。這些半導體具有5.3eV的寬帶隙（wide bandgap）和擊穿場強（Breakdown field strength），這意味著其能夠更好地承受高壓應用。

FLOSFIA成功地用α-Ga2O3制備了肖特基勢壘二極管( SBD )，與基于SiC開發的SBD相比，其導通損耗降低了86%。電裝表示，α-Ga2O3可以取代目前的硅（Si）和碳化硅（SiC）功率半導體，并有助于進一步開發支持未來電動汽車的技術。
      目前，我司已和FLOSFIA株式會社展開密切合作，準備不久將氧化鎵新型產品推入國內市場。